原标题：传台积电3nm工艺开发取得突破：今年8月将N3B投片，明年第二季度N3E量产

大概一个月前，有报道指出，在N3基础上扩展的N3E已提前准备好。由于N3E测试生产的时候良品率较高，台积电（TSMC）电希望能更早地实现商业化，量产时间可能由原来的2023年下半年提前到2023年第二季度。据称，N3E的工艺流程已经在3月底确定。此外，台积电在该制程节点还有一款称为N3B的工艺。

近日有消息指出，经过一年多的努力，台积电近期在3nm工艺开发方面取得了重大突破，决定在今年8月份率先将N3B投片，以FinFET晶体管对决三星的3nm上引入的GAAFET全环绕栅极晶体管。据悉，N3B是台积电第二版3nm制程，而N3E则是第三版3nm制程。

由于N3E的良品率快速拉升，N3E在明年正式投产后会加速放量，毫无疑问苹果将是第一个客户，该工艺用于新一代的处理器上。在苹果之后，英特尔和高通也会跟上。台积电3nm芯片将由Fab12和Fab18两间晶圆厂生产，前者主要负责英特尔代工订单，每月产能大概是1到2万片晶圆，后者主要生产苹果新款平板电脑和MacBook系列使用的新款处理器，每月产能大概是1.5万片晶圆。据悉，明年更具经济效益的N3E投产后，每月产能将从2.5万片提高到5万片晶圆。

据了解，N3E在N3基础上减少了EUV光罩层数，从25层减少到21层，逻辑密度低了8%，但仍然比N5制程节点要高出60%。N3E的良品率也高于N3B，不过后者的信息较少。有参与台积电供应链的半导体从业人员表示，台积电的2nm制程将是其秘密武器，在3nm制程经历了诸多考验突破瓶颈以后，让台积电的研发团队信心倍增，很可能会加速2nm工艺的开发进度。